第224章 不同意降标

第224章 不同意降标 (第1/2页)

直到他们被带进一间挂着“尖端项目组”牌子的会议室，看到了坐在主位上的陈卫东，以及摊在桌上的那份图纸。
　　
　　两位在各自领域浸淫了半辈子的顶级学者，只看了五分钟，表情就变了。
　　
　　尹教授扶着老花镜，手指在图纸上那精妙绝伦的三维结构上轻轻划过，像是怕惊扰了什么。
　　
　　“……不可思议。它在垂直方向上构建了多个通路，这……这完全颠覆了平面集成电路的设计思路！”
　　
　　王教授则死死盯着材料配比和工艺流程那几页，呼吸都变得有些急促。
　　
　　“用气相外延法生长多晶硅薄膜，再通过离子注入精确控制掺杂……理论上……理论上是可行的！天哪，这能将晶体管的集成度提高至少两个数量级！”
　　
　　“两位教授，”陈卫东开口，将他们从震惊中拉回现实，“我需要在一周内，完成所有前期筹备工作，进入第一次试生产。”
　　
　　“一周？！”
　　
　　尹教授差点跳起来，“卫东同志，你知不知道这意味着什么？”
　　
　　“光是真空腔的调试和气密性检测，按流程至少要一个月！还有材料提纯，高纯度单晶硅的制备，哪一样不要时间？”
　　
　　“时间，我们没有。”陈卫东的声音冷静得像机床的导轨，“流程可以优化，设备可以改造。我需要的是执行。”
　　
　　接下来的七天，整个项目组的人都见识到了什么叫“神迹”。
　　
　　原本需要一个月的真空腔调试，陈卫东只看了一眼设备，就直接指出了三个密封圈的材质缺陷，并给出了替换方案。两天，气密性达标。
　　
　　原本需要反复试验的离子注入能量和角度，陈卫东直接在黑板上列出了一串精确到小数点后四位的参数。
　　
　　第一次测试，注入深度和分布范围，与设计值完美吻合。
　　
　　团队里一个刚从沪上交大毕业的研究员，在进行薄膜沉积时，温度控制出现了零点五度的偏差。
　　
　　他自己都没发现，正要进行下一步，陈卫东的声音从他身后传来。
　　
　　“停。炉温高了。废掉，重来。”
　　
　　那一刻，整个实验室落针可闻。所有人都看着那个年轻人，他的眼神平静，却仿佛能穿透一切设备和数据，直抵物理规律的本质。
　　
　　两位老教授从最初的协助者，不知不觉变成了学习者。他们每天拿着笔记本，跟在陈卫东身后，记录他说的每一句话，每一个参数。
　　
　　尹教授私下对王教授感叹：“我感觉自己这半辈子，都学到狗身上去了。这小子……脑子里装的不是知识，是整套未来的工业体系。”
　　
　　一周后，第一次试生产开始。
　　
　　所有人都屏息凝神，看着真空腔内的硅片在经过一系列复杂工艺后，被机械臂取出，送入检测台。
　　
　　连接电源。
　　
　　“啪。”
　　
　　一声轻响。
　　
　　硅片中央，一缕微不可查的青烟冒出，随即消散。
　　
　　烧了。
　　
　　实验室里一片死寂。
　　
　　王教授最先反应过来，冲上去检查数据：“是掺杂浓度！最后一步的磷离子注入，浓度控制出现了波动，导致PN结被瞬间击穿！”
　　
　　

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